【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0050
利用課題名 / Title
半導体ウェハ加工技術の開発
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
スパッタリング/ Sputtering,走査プローブ顕微鏡/ Scanning probe microscope,異種材料接着・接合技術/ Dissimilar material adhesion/bonding technology,高周波デバイス/ High frequency device,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,セラミックスデバイス/ Ceramic device,フォトニクスデバイス/ Nanophotonics device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
大橋 達也
所属名 / Affiliation
Mipox株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
米倉洋
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
松本行示
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
セラミックス基板や薄膜の表面粗さを原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)によって評価する方法はJIS R1683:2014により規定されている(1)。このとき精密さを要求される測定ではカンチレバー先端の曲率半径が重要であるが、JISの規定通りに毎回校正することは手間がかかる。このため、標準試料を作製しそれを観察することによりカンチレバーの先端の状態を簡易的に確認できると便利である。課題番号JPMXP1222TU0134においてAu薄膜を作製したが、この試料を用いてカンチレバーの摩耗状態を見るには多少の慣れが必要で、またわかりにくかった。そのため独特の表面形状をもつNb薄膜をRFマグネトロンスパッタリング法により作製した。
実験 / Experimental
4インチベアSiウエハに、芝浦スパッタ装置（CFS-4ESII）を用いRFマグネトロンスパッタ法により Nb 薄膜を製膜した。Nb厚さは300 nmとした。製膜したNb 薄膜の表面形状をAFM（弊社所有 日立ハイテクNanoNavi L-trace W ）にて観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
図１及び図２に製膜したNb膜のAFM画像を示す。新品のカンチレバーを用いたNb表面像と、使用により摩耗したカンチレバーによる表面像は明らかに異なる。これにより、毎回の測定前に今回作製したNb薄膜を観察することで、観察に用いるカンチレバーの先端状態を簡便に推測できる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 新品カンチレバーによるNb薄膜の表面形状
図2 摩耗したカンチレバーによるNb薄膜の表面形状
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
参考文献
(1)JIS. R 1683：2014.原子間力顕微鏡によるファインセラミックス・薄膜の表面粗さ測定方法.
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件