【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.26】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23TU0049

利用課題名 / Title

SiO₂厚膜のデバイス応用への検討

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

TEOS CVD,膜応力,CVD

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

佐野 耕平

所属名 / Affiliation

AGC株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

戸津健太郎,菊田利行

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-154：住友精密TEOS PECVD

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

SiO₂厚膜のデバイス応用を目的として、PECVDで成膜したSiO₂膜の化学的耐久性の指標となる膜中水酸基量をを評価した。

実験 / Experimental

石英ガラスウェハ上にSiO₂を成膜した。原料はTEOSを用い、目標厚みを5000 nmとした。
膜応力の異なる条件でSiO₂厚膜を成膜し、化学的耐久性の指標となる膜中の水酸基の量をFT-IRで分析を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

圧縮応力が大きい条件で成膜したSiO₂では、膜中の水酸基量が少ない結果が得られた。一方で、圧縮応力が小さい条件では膜中の水酸基量が多く検出された。さらに、応力の小さい条件では膜への吸湿効果が観測された。これは、膜中の水酸基が大気中の水分の吸着起点として働いたためであると考えられる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成膜条件を決定するにあたり、東北大学試作コインランドリのスタッフの皆様に有益な助言をいただきました。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件