【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.23】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23TU0022

利用課題名 / Title

単原子長ゲートによる低環境負荷物質から成る高出力THz帯増幅器の創出

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials

キーワード / Keywords

グラフェン, デバイス創生,高周波デバイス/ High frequency device,電子顕微鏡/ Electronic microscope,集束イオンビーム/ Focused ion beam,原子層薄膜/ Atomic layer thin film,ナノカーボン/ Nano carbon

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

佐々木 文憲

所属名 / Affiliation

東北大学　電気通信研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

吹留博一

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

早坂浩二

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-520：透過電子顕微鏡
TU-507：集束イオンビーム加工装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

目的；単原子長ゲートによる低環境負荷物質から成る高出力THz帯増幅器の創出
内容；積層構造材料の界面状態についての分析を行うため、東北大学の設備を利用して断面TEM観察を行った。

実験 / Experimental

薄膜試料を集束イオンビーム加工装置（Quanta3D）で薄片化し、透過型電子顕微鏡（JEM-2100Plus）を用いてTEM観察した。

結果と考察 / Results and Discussion

Fig.1にFIB加工時のSEM像を示す。サンプルにFIB加工時のGaイオンによるダメージが加わらないよう、低加速電圧FIBを用いてイオンビーム加速電圧5kVに設定し、SiC上に生成されたGrapheneについて薄片試料を作製した。その試料を用いてTEM観察・分析した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Fig. 1 SEM image of a fabricated thin

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件