【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.09】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23TU0002

利用課題名 / Title

次世代エレクトロニクスの試作・評価

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

Sputter Etch,Al2O3,超伝導材料・物質・素子,表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,スパッタリング/ Sputtering,量子コンピューター/ Quantum computer,超伝導/ Superconductivity

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

古賀 拓哉

所属名 / Affiliation

tei Solutions株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-158：芝浦スパッタ装置（加熱型）

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

Alをスパッタ装置にて成膜して装置から取り出すとAl上にAl₂O₃が生成される。このAl₂O₃をArガスでエッチングするために、熱酸化膜でどのくらいエッチレートがあるか確認を行った。熱酸化膜とAl₂O₃では、熱酸化膜の方がエッチレートが高いのが前実験で分かっているが、装置によりエッチングレートは違っている為、調査が必要である。

実験 / Experimental

産総研SCRの熱酸化装置にて12インチウェハを熱酸化膜を100 nm成膜したものをチッピングしてウェハ片を作り、NPFと東北大コインランドリの装置でスパッタエッチングを行いどのくらいエッチングレートがあるのか評価を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

NPFのAT-025にて熱酸化膜を100 W/ Ar 20 sccm真空度0.4 Paで5 minスパッタエッチングしたところ、10.2 nmエッチングされているのが確認出来ている。Al₂O₃の削れ量は6 minで2～3 nm削れているのを確認出来ている。東北大コインランドリの加熱型スパッタ装置TU-158にて、100 W/ Arガス導入で真空度0.8 Paで10 minスパッタエッチングを行ったところ、25.4 nmエッチング出来ているのが確認できた。コインランドリのTU-158の方がエッチングレートが速いことが分かった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件