【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23KT1169
利用課題名 / Title
EB描画装置の実力把握のための借用
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子線描画, ナノホール,電子線リソグラフィ/ EB lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
次六 寛明
所属名 / Affiliation
セイコーエプソン株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
赤坂康一郎,石沢俊介
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
海津利行,井上良幸
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）,機器利用/Equipment Utilization
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
直径80~200nm程度、ピッチ150~250nm程度の三角格子配列ナノホールアレイをパターニングできる技術を調査しています。本利用課題にて、KT-115：大面積超高速電子線描画装置の実力把握と実験サンプル作製を目的に、装置利用を考えている。
実験 / Experimental
電子線描画装置を用いて、レジスト膜にナノホールアレイを形成し、絶縁膜をエッチングする。
基板：φ2インチ、t=430μm、サファイア基板
1.絶縁膜形成
2.レジスト塗布：ZEP520A、t=180nm
3.エスペイサー塗布（技術代行）：300Z
・エスペイサーコート： 1500rpm、60sec（メインステップ）
・ベーク： 100℃、60sec
・エスペイサーリムーブ： UDI、30sec
4.電子線描画（技術代行）：KT-115 大面積超高速電子線描画装置、F7000S-KYT01（アドバンテスト）
・アジャスタ：型式KHE-610116（セイコーエプソン資産）
・GDSファイル：Quarteri
実験図1、図2にウエハ面内のパターン配置図を示す。
・ユニット概要
TR100g、TR150e、TR200d、TR250c
・三角格子、□100μm
・ピッチ：100、150、200、250nm
・ホール直径：5水準
LAd
・三角格子、□500μm、ピッチ250nm、CP直径90nm
・三角格子、□100μm、ピッチ300nm、CP直径100nm
・三角格子、□100μm、ピッチ250nm、CP直径90nm
・三角格子、□100μm、ピッチ140nm、CP直径60nm
・三角格子、□60μm、ピッチ100nm、CP直径50,60,70,80nm
・三角格子、□60μm、ピッチ140nm、CP直径50,60,70,80nm
TEG
・ベタパターン、□60μm
ALNG（アライメントマーク）
・三角格子、100×50μm、ピッチ250nm、CP直径160nm
・三角格子、□60μm、幅10μm、ピッチ250nm、CP直径160nm（十字マーカー）
Cross（十字マーカー）
・三角格子、□140μm、幅20μm、ピッチ250nm、CP直径160nm
実験図3に各パターンの描画設定等を示す。
5.エスペイサー除去
6.現像
7.ドライエッチング
8.レジスト除去
結果と考察 / Results and Discussion
図1～4にドライエッチング及びレジスト除去後の絶縁膜ナノホールアレイのSEM観察像を示す。真円度と均一性の高いナノホールアレイを形成することができている。本装置によって、良好な形状のナノホールアレイを、比較的短時間で形成することができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
実験図1
実験図2
実験図3
図1 SEM観察像：ピッチ250nm、CPマスク180nm、ドーズ160μC/cm2
図2 SEM観察像：ピッチ200nm、CPマスク150nm、ドーズ140μC/cm2
図3 SEM観察像：ピッチ150nm、CPマスク100nm、ドーズ160μC/cm2
図4 SEM観察像：ピッチ100nm、CPマスク60nm、ドーズ180μC/cm2
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件