【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23KT1168

利用課題名 / Title

フォギング補正検討

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

ラインアンドスペース（L/S）,電子線リソグラフィ/ EB lithography

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

黒宮 未散

所属名 / Affiliation

パナソニックホールディングス株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

田村隆正

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

海津利行,井上良幸

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-115：大面積超高速電子ビーム描画装置
KT-114：有機現像液型レジスト現像装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

KT-115：電子ビーム（EB）描画装置（F7000S-KYT01）を用いて、ラインアンドスペース（L/S）パターンを大面積に描画すると、フォギング影響よって描画エリアの中央部と周辺部でラインとスペースの比率（duty比）がずれてしまうため、フォギング補正によってduty比の均一なL/Sパターン形成を目指した。

実験 / Experimental

□30mmに配列した設計L/S＝195nm/195nmのパターン描画において、sigmaを5mmに固定し、Weightを0.65～0.80としてフォギング補正処理を行った。250nm厚のレジスト（ZEP520A）を塗布したSiウエハに、Dose量90uCとしてL/Sを描画した。描画後、KT-114：有機現像液型レジスト現像装置を用いてZED-N50およびIPAにより、現像およびリンス処理した。現像後の描画エリア中央部と周辺部のL/SパターンをSEMによって観察した。

結果と考察 / Results and Discussion

①補正なし、②Weight=0.65、③Weight=0.80としたときの描画後のレジスト表面SEM写真を示す。①～③のいずれも、中央部は設計通りのL/S=195/195nmになっていたが、周辺部では①L/S=233/157nm、②L/S=216/174nmとS幅が細くなっていた。③では、周辺部も設計値に近くL/S=205/185nmに加工できた。
以上より、フォギング補正のWeight値は0.8以上が適していることが分かったが、完全均一には更に補正強度を上げる必要がある。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1　フォギング補正した描画サンプル表面のSEM写真：①補正なし（Weight=0）中央部（L/S=195/195nm）

図1　フォギング補正した描画サンプル表面のSEM写真：①補正なし（Weight=0）周辺部（L/S=233/157nm）

図1　フォギング補正した描画サンプル表面のSEM写真：②Weight=0.65　中央部（L/S=195/195nm）

図1　フォギング補正した描画サンプル表面のSEM写真：②Weight=0.65　周辺部（L/S=216/174nm）

図1　フォギング補正した描画サンプル表面のSEM写真：③Weight=0.80　中央部（L/S=195/195nm）

図1　フォギング補正した描画サンプル表面のSEM写真：③Weight=0.80　周辺部（L/S=205/185nm）

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件