【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23KT1159
利用課題名 / Title
コンポジット材料界面の分析技術開発
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
異種材料,コンポジット,分析,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,異種材料接着・接合技術/ Dissimilar material adhesion/bonding technology,コンポジット材料/ Composite material
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
久保 優吾
所属名 / Affiliation
住友電工株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-232：真空蒸着装置（１）
KT-233：真空蒸着装置（２）
KT-203：電子線蒸着装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
金属/樹脂または金属/半導体など異種材料コンポジットは、エレクトロニクス、航空宇宙、自動車など、広い範囲の産業分野で活用されている。製品の要求特性を満足するために、これら異種材料の界面の化学状態に関する理解は不可欠である。一方で、界面に存在する中間層の生成機構など、未だに不明点が多い [1]。本研究の最終的な目的は、真空蒸着、電子線蒸着などの薄膜作製手法と、ドライエッチングなど表面処理手法を用いて界面分析用試料を作製し、様々な異種材料間の界面状態を明らかにすることである。今回は、抵抗加熱式真空蒸着法によりSi基板上にTi薄膜（約10 nm）を300℃で形成し、断面のSTEM-EELS元素分析を実施した結果をまとめる。
実験 / Experimental
抵抗加熱式真空蒸着法によりSi基板上にTi薄膜（約10 nm）を300℃で形成した。蒸着直前の典型的な真空度は約1.0~3.0×10-３ Pa、典型的なレートは0.3 nm/sであった。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1に、試料断面のSTEM-EELS元素分析結果を示す。図の左側はSi基板、中間がTi膜、右側はFIB加工のためのカーボン蒸着膜となっている。赤矢印で示した部位はSi基板とTi膜の界面となっているが、この部分にSi、Tiの分布にショルダーが見えており、同部位にTiSiの化合物が生成していると推定される。今後は、上記のTiSi化合物が、Ti膜の密着性などへの影響を詳細に調査していく予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Cross-sectional STEM-EELS line scan of Ti thin films on Si substrate.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件