【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23KT1154
利用課題名 / Title
EB描画装置を活用したデバイス実証実験
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
GaAa,ホールパターン,電子線リソグラフィ/ EB lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
熊井 啓友
所属名 / Affiliation
セイコーエプソン株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
二村 徹
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
井上良幸
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
当社セイコーエプソンにて、デバイスの実証実験を進めている。デバイスの試作プロセスを検討した結果、サブミクロンの周期パターンを任意に形成する描画手段が必要であることが分かった。弊社では、高精度のナノパターニング手段を有しないため、京都大学ナノテクノロジーハブ拠点のEB描画装置を利用し一連の試作環境を構築したい。
実験 / Experimental
KT-115（大面積超高速電子ビーム描画装置）を活用したサブミクロン ホールパターン形成(周期～300nm on GaAs基板)
結果と考察 / Results and Discussion
EB描画によるホールパターン形成において、設計周期と実測周期との間に強い線形相関(下記【図・表】参照)が認められ、当社デバイス作製に必要な精度の周期パターンが得られている。本周期パターンを用いたドライエッチング評価においても、下地GaAs膜と十分な選択比が得られ、目標寸法通りのGaAaホールパターン構造が実現できている。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 ホールパターン形成：周期290nm(目標値)
図2 設計周期に対する実測周期
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件