【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23KT1111

利用課題名 / Title

シリコン深堀り基板と石英基板の基板接合試験

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

形状観察,基板接合,熱酸化,電子顕微鏡/ Electronic microscope,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,流路デバイス/ Fluidec Device,異種材料接着・接合技術/ Dissimilar material adhesion/bonding technology,3D積層技術/ 3D lamination technology

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

丸山 隆志

所属名 / Affiliation

NTTアドバンステクノロジ株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

小平　晃

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-217：基板接合装置
KT-207：熱酸化炉
KT-301：超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡
KT-234：深堀りドライエッチング装置（１）

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

Si基板上への密封構造流路の作製を目的として、DeepRIEを用いてSi基板上へ流路パターン作製し、Si基板と硼ケイ酸ガラス基板を陽極接合し、貼り合わせにより密封構造の流路を作製した。

実験 / Experimental

Si基板上にフォトリソグラフィーを用いて、流路パターンを作製し、DeepRIEによりSi基板上に流路パターンを転写した。加工したSi基板と硼ケイ酸ガラスを基板接合装置を用いて陽極接合により貼り合わせた。

結果と考察 / Results and Discussion

陽極接合によりSi基板と硼ケイ酸ガラスの接合をし、密閉構造を有する流路の作製に成功した。接合工程における流路内のパターン崩れ等は発生せず、また接合後の洗浄工程においても石英基板の剥がれや浮きなどは発生しなかった。今後、本件で作製した流路を用いた各種性能評価を行う予定である。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件