【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.10】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23UT1205

利用課題名 / Title

平面型シリコン熱電ハーベスタの開発

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials

キーワード / Keywords

熱電材料/ Thermoelectric material,ダイシング/ Dicing,ナノ多孔体/ Nanoporuous material

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

野村 政宏

所属名 / Affiliation

東京大学生産技術研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

柳澤亮人

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

井上友里恵,落合幸徳

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-900：ステルスダイサー
UT-906：ブレードダイサー

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

シリコンウエハ上に作製される平面型熱電発電素子の開発を行うため、ダイサーを用いてデバイスチップの切り出しを行った。

実験 / Experimental

16mm角シリコンウエハ小片内の8mm角の領域に熱電発電デバイスを作製し、ステルスダイサーおよびブレードダイサーを用いて8mm角のデバイス領域のみを切り出した。

結果と考察 / Results and Discussion

切り出したデバイスチップについて、デバイス領域の端から数μmの精度でマージンを最小化して切り出せることを確認した。またデバイスチップをキャップウエハに張り合わせるプロセスにおいて、デバイスチップ端のバリが小さいことが重要であり、ステルスダイサーを用いることでこれを低減できることを確認した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1. (a) 16 mm角のチップからステルスダイサーを用いて切り出した8 mm角のデバイスチップのCCDカメラ画像. (b) 1枚の8 mm角デバイスチップをキャップウエハに張り合わせた後のCCDカメラ画像. 

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件