【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.22】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23NU0003
利用課題名 / Title
Si中の転位とプラズマとの相互作用
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion
キーワード / Keywords
センサ/ Sensor,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor,電子顕微鏡/ Electronic microscope,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,光デバイス/ Optical Device,集束イオンビーム/ Focused ion beam
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
坂 公恭
所属名 / Affiliation
愛知工業大学工学部 電気学科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
岩田 博之
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
依田 香保留
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NU-101：反応科学超高圧走査透過電子顕微鏡システム
NU-104：直交型高速加工観察分析装置
NU-105：バイオ/無機材料用高速FIB-SEMシステム
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
レーザ入射したSiウエハの内部構造を観察するためのTEM試料の作製
実験 / Experimental
レーザ入射したSiウエハを集束イオンビーム加工装置で薄片化した。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1 は中央部にレーザを集中的に絨毯爆撃したSiウエハのレーザ入射面の写真である。中央部が絨毯爆撃された領域で盛り上がっていることが分かる。この領域のTEM観察を行うためにバイオ/無機材料用高速FIB-SEMシステム NX-5000 (NU-105)と直交配置型高速加工観察分析装置 MI-4000L (NU-104)によるTEM試料作製を依頼した。Fig.2にFIB加工時のイオン像を示す。観察は反応科学超高圧電子顕微鏡 JEM-1000K RS (NU-101)で行った。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Optical photograph of surface of laser injected Si wafer.
Fig. 2 SIM image of a fabricated thin
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
河口大祐氏（浜松ホトニクスKK）に感謝します。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
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Hiroyuki Iwata, Electron Microscopy on Mechanism of Voidage and Cracking in Si by Injection of a Permeable Infra-Red Laser, Journal of the Japan Institute of Metals and Materials, 88, 69-80(2024).
DOI: https://doi.org/10.2320/jinstmet.J2023032
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件