利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.06.29】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23UT0353

利用課題名 / Title

半導体電極界面の電場観察

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions

キーワード / Keywords

エレクトロデバイス/ Electronic device,電子顕微鏡/ Electronic microscope,電子分光/ Electron spectroscopy


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

蟹谷 裕也

所属名 / Affiliation

ソニーセミコンダクターソリューションズ株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

遠山慧子

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

小島嘉文

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-004:環境対応型超高分解能走査透過型電子顕微鏡
UT-001:低加速電圧対応原子分解能走査型透過電子顕微鏡


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

半導体/金属界面のショットキー障壁は半導体デバイスの特性上重要な因子である.ショットキー障壁高さは,半導体と金属の仕事関数差で決まるが,実際には界面の急峻性にも依存する.本測定では,半導体/金属電極界面のショットキー障壁の局所解析を目的とし,共用装置を用いた半導体/金属電極界面を含む薄膜試料の構造観察と組成分析を行い,界面の急峻性を評価した.

実験 / Experimental

半導体金属接合薄膜に対して,収束イオンビームにより断面TEM試料を作製した.本試料に対して走査透過電子顕微鏡(STEM)による原子分解能構造解析と元素マッピングを行った.

結果と考察 / Results and Discussion

高角度散乱暗視野法(HAADF) STEM法,環状暗視野(ABF) STEM法により試料の原子構造観察を行った.さらにエネルギー分散型X線分光(EDS)を用いることで半導体電極界面の急峻性を評価した.取得した構造を用いて,ポアソンシミュレーションを行い,本構造中での空乏層幅などを見積もることに成功した.

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
  1. Satoko Toyama, Real-space observation of a two-dimensional electron gas at semiconductor heterointerfaces, Nature Nanotechnology, 18, 521-528(2023).
    DOI: 10.1038/s41565-023-01349-8
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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