【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT0329
利用課題名 / Title
薄膜の結晶配向性制御に関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/ Electronic microscope,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,原子層薄膜/ Atomic layer thin film
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
平田 祐樹
所属名 / Affiliation
東京工業大学 科学技術創成研究院 未来産業技術研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
福川 昌宏
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
基板の表面結晶構造を制御し、二次元原子層薄膜の大面積かつ高品質な合成を目指す。
実験 / Experimental
基板には銅とニッケルを使用した。真空アニーリングを施すことで、表面の結晶構造に及ぼす影響をEBSDにより分析した。アニーリングパラメータは温度（500~1000℃）、アニーリング時間とした。
結果と考察 / Results and Discussion
FE-SEM観察とEBSD分析の結果、試料のアニーリング温度を大きくするに伴って薄膜表面の結晶粒径が粗大化し、表面の粗さが小さくなる傾向が示された。また、アニーリング時間が表面結晶成長に及ぼす影響は小さいように見受けられた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件