【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT0320
利用課題名 / Title
反射光強度その場観察による高下地選択性Co-ALDプロセスの構築
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials
キーワード / Keywords
高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,エリプソメトリ/ Ellipsometry,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration)
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
木村 俊介
所属名 / Affiliation
東京大学 大学院工学系研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
小西邦昭,櫻井治之
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
原子層成長（Atomic Layer Deposition）によるCo薄膜の合成初期過程の解析を独自の反射分光測定を用いて行っている。
その際に必要なCo薄膜の誘電関数を取得するために分光エリプソメトリーを採用して測定を行った。
実験 / Experimental
熱酸化膜が300nm形成されたSi基板上にALDで製膜したCo薄膜を分光エリプソメトリーを用いて観測し，誘電関数の波長依存性を取得した。
結果と考察 / Results and Discussion
ALD製膜過程における反射分光その場観察結果を，有限要素法を用いた電磁界シミュレーションにより解析を試みていたが，形成されたCo薄膜の誘電関数波長分散のデータが必要なため，実測した。実測した結果を用いてシミュレーションを行ったところ，反射分光その場観察結果をうまく再現できることが分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件