【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT0268
利用課題名 / Title
Ⅲ-Ⅴ族半導体-Siハイブリッドプラズモン受光器
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
光導波路/ Optical waveguide,光デバイス/ Optical Device,エリプソメトリ/ Ellipsometry
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
小松 健太郎
所属名 / Affiliation
東京大学 工学部 電気電子工学科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
III-Ⅴ族半導体-Siハイブリッドプラズモン導波路受光器の研究に必要となる材料の光学定数の測定
実験 / Experimental
分光エリプソメータを用いてIII-Ⅴ族半導体と金属の合金の光学定数を測定し、合金層がプラズモン導波路受光器の電極部分として使用可能かどうか検討を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
Ni-InGaAs合金とAu-InGaAs合金の光学定数を元の金属と比較した結果、図1および図2のような結果が得られた。この結果から光通信波長における合金の光学定数が金属と類似していることからプラズモン導波路受光器の電極部分として使用可能なことを示すことができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Ni-InGaAs合金の誘電率測定結果
Au-InGaAs合金の誘電率測定結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件