【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT0265
利用課題名 / Title
相変化材料を用いたプログラマブル光回路に関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
相変化材料,光導波路/ Optical waveguide,フォトニクスデバイス/ Nanophotonics device,エリプソメトリ/ Ellipsometry
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
宮武 悠人
所属名 / Affiliation
東京大学 大学院工学系研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
相変化材料を用いた光変調器は小型かつ不揮発的に動作可能であり、大規模光集積回路での活用が期待されている。相変化材料に基づく光変調器の設計のためには、相変化材料の光学定数の精密な評価が必要である。本研究では、近赤外領域における相変化膜の光学定数評価のために分光エリプソメータを用いた。
実験 / Experimental
カルコゲナイド系の相変化膜をSi基板上にRFスパッタで20 nm成膜し、その上に酸化防止のための保護膜としてSiO2をRFスパッタで20 nm成膜した。この時、スパッタリングの成膜条件を変えて成膜したサンプルを用意し、光学定数の成膜条件依存性を調べることを目的とした。As depoの相変化膜はアモルファス状態であり、チップをホットプレートで加熱することで結晶状態へ相変化させた。このようにして準備したサンプルを分光エリプソメータを用いて評価した。
結果と考察 / Results and Discussion
スパッタリングの条件を変更すると、相変化膜の近赤外領域における結晶相の消衰係数が大きく変化することが明らかになった。これはスパッタリング条件の変更によって、相変化膜の組成が変化したことに起因すると考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件