【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.27】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23UT0213

利用課題名 / Title

GaAs基板上への酸化物薄膜の形成と物性評価 

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

薄膜,エリプソメトリ/ Ellipsometry

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

丸田 秀昭

所属名 / Affiliation

株式会社マグネスケール

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

小川 巧,加藤 伸行

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

森山 和彦

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-303：分光エリプソメータ

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

AlGaAs系光学素子への応用を目的とし、Al₂O₃薄膜を評価した。

実験 / Experimental

2種類の蒸着装置およびECRプラズマ成膜装置を使用し、GaAs基板上にAl₂O₃薄膜を形成した。単層膜を分光エリプソメータにより評価した。

結果と考察 / Results and Discussion

種々の方法で形成したAl₂O₃単層膜の屈折率を分光エリプソメータにて測定した、波長800 nmにおける屈折率をTable1に示す。エリプソメータのフィッティングにおけるMean Squared Error (MSE)は10以下であり、測定とモデルのフィッティングが良好であったことを示している。蒸着により形成したAl₂O₃膜の屈折率が1.625付近なのに対し、ECRプラズマ成膜で形成した膜の屈折率は1.655と0.03程度高い値が得られた。2種類の蒸着装置で形成した膜が同程度の屈折率であることから、この違いは成膜方法によるものと考えられる。屈折率が高い方がより緻密な膜であることが推察される。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Table 1

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

東大スタッフの皆様の献身的なサポートにより様々な実験をワンストップで実施できました。大変感謝しております。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件