【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT0193
利用課題名 / Title
トポロジカル物質の結晶構造解析
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device,量子効果デバイス/ Quantum effect device,トポロジカル量子物質/ Topological quantum matter,X線回折/ X-ray diffraction,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration),量子効果/ Quantum effect
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
久保 光太郎
所属名 / Affiliation
JSR株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
トポロジカル性を有する物質の特性を生かした半導体デバイス向けの材料開発を行うことが目的。高結晶性かつ平坦な薄膜を得るためのPVD法による最適成膜条件の探索、並びにその電磁気的な性能の測定を行う。
実験 / Experimental
トポロジカル性を有することを期待する物質をPVD法により製膜し、製膜した薄膜のXRD法により結晶構造解析、並びにI-V測定などにより、電磁気的な物性値の測定を実施した。その測定結果を元に、成膜条件にフィードバックし、再度製膜し、結晶構造解析や物性測定を行う。その検討ループを回すことによる、最適な成膜条件の探索を実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
結晶構造解析結果、並びに物性測定結果からは、期待した結晶構造並びに物性の発現は23年度は見られていない。薄膜成長することが必要であるが、表面凹凸が大きく、また結晶化度も低い結果である。また結晶化度が低いことから、想定したトポロジカル性の発現が見られていないと思われる。そのため、成膜条件を最適化し、表面がフラットかつ結晶性を高めることが、今後も必要な状況と考えている。次年度以降も、成膜条件を変量し、各種測定を行うことで、最適条件探索を続ける。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件