【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT0155
利用課題名 / Title
光硬化性樹脂組成物の開発
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ナノインプリント、Nanoimprint、高エッチング耐性樹脂,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
健理 昆野
所属名 / Affiliation
東京応化工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
硬化性樹脂材料のドライエッチング耐性の確認
実験 / Experimental
使用装置: UT-603_ULVAC NE-550。事前にOhnishiパラメーターの異なる有機系硬化樹脂組成物を調整した。シリコン窒化膜上にUVナノインプリント法により形成したナノパターンを用いて、ドライエッチング評価を行った。シリコン窒化膜のエッチングにはフッ素系、酸素ガスを用いた。
結果と考察 / Results and Discussion
【結果】表1に、4種類の樹脂材料のOhnishiパラメーターとエッチングレートの関係を示す。Ohnishiパラメーターの低い材料ほど低エッチングレートを示した。
【考察】有機物のエッチングについては、イオンの衝突エネルギーで対象物の元素が脱離する物理スパッタリングの影響が大きいといわれている。Ohnishiパラメーターが低い材料ほど、炭素濃度が高く、二重結合量が多いため膜の高密度化により、ドライエッチング耐性が向上したと考える。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1 4種類の樹脂材料のOhnishiパラメーターとエッチングレートの関係。
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
なし
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件