【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT0093
利用課題名 / Title
加熱による裏面Au電極の汚染確認
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion
キーワード / Keywords
パワーエレクトロニクス/ Power electronics,電子分光/ Electron spectroscopy,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration)
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
長島 未希
所属名 / Affiliation
メルテックス株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
希代 誠,服部 奈々
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
沖津 康平
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-308：多機能走査型X線光電子分光分析装置(XPS)with AES
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
SiCデバイスでは裏面接合のため、裏面全面にAuスパッタ膜を形成する場合がある。接合には、はんだやAgシンターが使用されるが、この時Au表面が汚染された場合、接合性不良が発生する。今回観察する裏面スパッタ膜はNi/Auの層構成のため、SiCチップの加熱を行った際にAu下地のNiがパイルアップすることでAu表面に酸化Ni膜を形成し、接合不良が発生する可能性がある。そこで窒素雰囲気下にて加熱処理を行い、多機能走査型X線光電子分析装置XPS with AES VersaProbe Ⅲを用いてSiC素子表面のAuスパッタ膜表面の分析を行った。
実験 / Experimental
未加熱、120℃ 30分加熱 、150℃ 10分加熱、180℃ 10分加熱SiCチップの裏面Auスパッタ膜表面を多機能走査型X線光電子分析装置XPS with AES VersaProbe Ⅲで分析した。
結果と考察 / Results and Discussion
未加熱品、120℃ 30分加熱品、150℃ 10分加熱品、180℃ 10分加熱品を測定した結果、全てのSiCチップ裏面Auスパッタ膜表面で下地Niスパッタ由来のピークは認められなかった。また、加熱温度を変更させても検出された元素に差は認められなった。
以上の結果から、Auスパッタ表面へのNi拡散は認められず、加熱によるAu表面状態変化はないと示唆される。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1.Auスパッタ表面測定結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件