【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.16】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT0035
利用課題名 / Title
圧電薄膜の結晶構造解析
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion
キーワード / Keywords
圧電・焦電材料、XRD,エレクトロデバイス/ Electronic device,X線回折/ X-ray diffraction
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
矢吹 紘久
所属名 / Affiliation
アズビル株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
c軸配向された窒化アルミ（AlN）は圧電体として知られており、様々なデバイスへと応用されている。そこで、本研究では、DCスパッタによって成膜されたAlNに対してX線回折測定によってその結晶構造を分析した。
実験 / Experimental
DCスパッタによってSi基板上に1um厚のAlNを製膜し、得られた薄膜の結晶構造をXRDによって分析した。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig. 1に成膜されたAlN薄膜のXRDパターンについて示す。2θ ＝36°付近に強いAlN(0002)ピークが表れており、c軸配向傾向となっていることが確認できる。また、AlN(0002)ピークにおけるロッキングカーブ測定の結果から、FWHM ～ 1.19°程度であり、良好なc軸配向膜が形成されていることが確認された。今後は、これらの分析結果をもとにさらに配向性の良好なAlNの成膜を目指すとともに、AlN膜を用いたデバイス開発を実施する見込みである。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 AlN膜のXRDパターン、およびロッキングカーブ測定結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件