【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23NU0251
利用課題名 / Title
波長可変レーザーのプロセス開発
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
波長可変レーザー,CVD,リソグラフィ/ Lithography,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
石田 周太郎
所属名 / Affiliation
santec OIS株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
Mohanmad Saad Khan,Yi Xiao,Tei Jo
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
Takeshi Kato,Heajeong CHEONG,Anna Honda,Mitsuo Sakashita
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NU-208：両面露光用マスクアライナ
NU-209：ICPエッチング装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
波長可変レーザーのプロセス開発として、ⅢｰⅤ族半導体ウェハ上に所望の形状（メサ、電極形成）を実現するためにリソグラフィおよびエッチングによる加工プロセスの開発試作を実施した。
実験 / Experimental
試作内容として、以下の2点について主に実施した。
1. レジストおよびSiO2ハードマスクを用いたリソグラフィ技術の条件振り試作
レジスト（S-1813）およびプラズマCVDで成膜したSiO2をマスクとして露光装置を用いた露光条件ぶり試作を実施し、仕上がり形状の
評価を基に露光条件の探索を行った。
2. ICPプラズマエッチングによるⅢｰⅤ族半導体の形状加工条件ぶり試作
上記試作結果を基にICPプラズマエッチングの条件振り試作を実施し、ガス種に依存した形状評価を基に加工条件の探索を実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
条件振り試作の結果として以下の内容をえた。
1. レジストおよびハードマスクパターニングについて
露光装置を用いて所望のマスク形状を実現することができた。
2. パターンマスクを用いたエッチング
ICPプラズマエッチングの条件出しについて、ガス種に依存した形状加工への影響を確認することができた（図１）。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１ プラズマCVD（280 deg. C/0.75 torr / O2:200sccm / 30W )における成膜時間とSiO2厚さとの相関
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件