【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.22】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23NU0250
利用課題名 / Title
半導体電極開発
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
X線光電子分光法、形状・形態観察、分析、化学結合状態評価,電子分光/ Electron spectroscopy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
竹内 和歌奈
所属名 / Affiliation
愛知工業大学 工学部 電気学科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
高田 昇治,石川 健治
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
新規半導体電極開発に向けて、膜の結晶性、結合状態、膜形状なのどの膜評価を行った。化学結合状態については名古屋大学の光電子分光測定装置を用いて評価を行った。
実験 / Experimental
Si基板および鉄板上に触媒化学気相成長法（Cat-CVD）でビニルシラン原料を用いて、炭化ケイ素（SiC）薄膜を形成させた。鉄板上のSiC化学結合状態を調べるために光電子分光測定装置（VG社製 ESCALAB250）を用いて評価を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1にSi基板上に成長させたSiCの断面の走査型電子顕微鏡像を示す。この条件では約60 nm程度SiC薄膜が堆積する条件であることがわかる。Fig.2に鉄板上のSiC薄膜のSi2p、C1s、Fe2pの光電子分光測定結果を示す。Si2p、C1sの結果からSiCが形成されていることがわかる。また、Fe2pの結果から、SiCで被膜することで、鉄のピークが見えていないことがわかる。このことから、Cat-CVDを用いることで、SiCが鉄基板上にコーティングできたことが分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 SEM images of the SiC on Si substrate.
Fig.2 Chemical bonding states of SiC on Fe substrate.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
・2023年度 名古屋大学低温プラズマ科学研究センター共同利用・共同研究（共同研究者：石川 健治 教授）
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- K. Ono et. al., “Cellular Response to Electrical Stimulation on Carbon Nanowalls Coated with Silicon Carbide”, AEPSE2023, (BPEX, Busan city, Korea), Tu1b-5 (Oral), 7 November (2023).
- Y. Tsuchiizu , K. Ono, K. Uehara, S. Yasuhara, W. Takeuchi, “Formation of In-situ Al Doped SiC Thin Film”, ICDF2023, Sendai, Japan, OS3-5 (Oral), 7 November (2023).
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件