【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23NU0242
利用課題名 / Title
Mgをイオン注入したp-GaNの活性化に関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
GaN Mg イオン注入,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,スパッタリング/ Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
須山 篤志
所属名 / Affiliation
株式会社イオンテクノセンター
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
縦型GaN パワーデバイスの高性能化に向けて、Mg イオン注入による局所的p 型ドーピング技術の開発が進められている。今回Mg注入したGaN基板の電気特性評価(ホールキャリア濃度、Mgの活性化率評価)のため、ホール効果素子を作製して評価した。
実験 / Experimental
GaN基板にMgをイオン注入した後、保護膜(AlN 200 nm)を成膜しMg活性化のためのアニール(1300℃、3分、N2雰囲気)を実施した。その後アルカリ溶液にて保護膜を除去し、ホール効果素子の電極に用いるPd成膜のため3元ﾏｸﾞﾈﾄﾛﾝｽﾊﾟｯﾀ装置(NU-205)を使用した。
結果と考察 / Results and Discussion
Pd電極とGaN基板のオーミック測定をしたところオーミック接触がとれていることを確認した。
しかし、ホール効果測定ではp型判定ができなかった。GaN基板表面を詳細に観察したところ窒素抜け等に起因する表面形状の乱れが確認された。Mg注入条件や活性化アニール条件などの最適化を引き続き行っていく。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件