【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23IT0055
利用課題名 / Title
シリコンフォトニクスデバイス特性評価
利用した実施機関 / Support Institute
東京工業大学 / Tokyo Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電気特性評価/ Electrical characterization,光導波路/ Optical waveguide,光デバイス/ Optical Device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
綿貫 真一
所属名 / Affiliation
アイオーコア株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
堀川 剛
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
光集積素子評価用300mmオートプローバーを用い、300mm CMOSラインで製造される光集積回路ウェハに搭載されている光集積素子の短TATのインライン検査を行う。他のプロセスコントロールモニタ評価と合わせて、光集積回路製造に適した複合的な製造プロセス管理手法を構築する。
実験 / Experimental
300mm CMOSラインで製造される光集積回路搭載ウェハの光集積素子の特性、特にシリコン細線導波路や位相シフタの透過特性評価などについて、継続的なインラインモニタリング評価を実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
オートプローバを用いた高精度かつ再現性の高い評価により、シリコン導波路の伝搬損失をはじめとする主要な光集積素子の特性が、数次の試作において極めて安定に推移していることが検査の都度確認された。プロセスウィンドウ拡大に向け、得られた結果の統計的な解析を進めている。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
この成果は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の委託業務(JPNP21029)の結果得られたものです。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件