【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.24】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23HK0156
利用課題名 / Title
ALDを使った細孔への薄膜形成
利用した実施機関 / Support Institute
北海道大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions
キーワード / Keywords
高周波デバイス/ High frequency device,表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,ALD
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
藤澤 千浩
所属名 / Affiliation
パナソニックインダストリー デバイスソリューション事業部 技術開発センター
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
萩原 洋右,石山 仁大
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
遠堂 敬史,中村圭佑,佐々木仁
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
シリコン基板に多孔質層を形成したデバイスを開発している。デバイス試作には、 小さな孔径の多孔質層へ成膜する必要がある。
成膜の手法としてALD(Atomic Layer Deposition)を検討している。
我々のデバイス開発にALDが使えるかどうかを見極める必要がある。
今年度は、多孔質層内部への成膜の状態を明確にすることを目的とする。
実験 / Experimental
1. ALD装置の選定
加熱式、プラズマ式の２種類の成膜方法を検討した。
2. 成膜
シリコン個片に多孔質層を形成したサンプルに対して、ALDにより成膜を行った
3. 評価
未加工の多孔質を形成していないシリコン基板平面上に成膜した薄膜の膜厚をXRR(X-ray Reflectivity)を使って評価した。
多孔質層断面を観察できるサンプルを作製し、SEMにより孔底面、側壁を観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
XRRにより、シリコン基板平面に成膜した薄膜の膜初は、10数nmであることが分かった。
多孔質を形成したサンプルにALDにより成膜を行い、断面をSEMにより観察した。
SEMの反射電子像観察により、孔底面に明確なコントラスを確認し、成膜されていることが確認できた(図1)。
今後、更に分析を進めTEMを使って膜厚等を評価する予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１断面観察結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件