【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.24】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23HK0152
利用課題名 / Title
ALD装置によるAZO成膜
利用した実施機関 / Support Institute
北海道大学 / Hokkaido Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,ALD
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
細野 信人
所属名 / Affiliation
株式会社リコー 先端技術研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
遠堂敬史 特任助教,松尾保孝 教授
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
目的：ALD装置における透明導電性膜（AZO）の成膜と特性把握
用途：MEMSデバイスへの応用
実施内容：TMAプリカーサーとZOnプリカーサーの混合比率違いによるシート抵抗及び透過率特性の把握サンプル作成
実験 / Experimental
TMAプリカーサーとZOｎプリカーサーの混合比率をＴＭＡ３％、５％、７％と変更しての４インチガラス及び光学測定用３φ石英でのサンプル作成。
作成後、分光光度測定器にて透過率特性の測定、３針式抵抗測定器にてシート抵抗の測定を実施。
結果と考察 / Results and Discussion
TMA濃度が増すに伴い、シート抵抗値が減少する関係性が分かった。しかしながら、シート抵抗値の絶対値が文献値より１桁高く、装置コンタミ等の外部要因が考えられる結果となった。
透過率は、今回のTMA濃度範囲内では、全波長領域における透過率曲線に大きな差はなかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
実験にあたり、装置コンディション等の段取りをして頂きました
松尾 保孝 教授
遠堂 敬史 特任助教 に感謝いたします。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件