【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.08】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23BA0050
利用課題名 / Title
パワー向けGaN HEMTに関する特性評価
利用した実施機関 / Support Institute
筑波大学 / Tsukuba Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
GaN, AlGaN, HEMT
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
中野 拓真
所属名 / Affiliation
Anjet Research Lab株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
パワー向けGaN HEMTに関して、詳細な電気的特性評価を行い、デバイスパラメータが特性に与える影響を調査する。
実験 / Experimental
異なるデバイス構造を持つサンプルを準備し、B1505Aにて評価を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
使用した測定装置はB1505Aで、各設計値に対して異なる微小電流の波形を取得することができ、概ね想定した通りの結果だった。
一方で、容量測定に関しては、Bias Teeの不足により正確な測定ができず、次回測定時は不足設備の準備が必要なことが判明した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件