利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.04.22】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23BA0035

利用課題名 / Title

イオンミリングによる材料の表面及び断面研磨

利用した実施機関 / Support Institute

筑波大学 / Tsukuba Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者)/Internal Use (by ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials

キーワード / Keywords

自己修復材料/ Self-healing material,電子顕微鏡/ Electronic microscope,スパッタリング/ Sputtering,イオンミリング/ Ion milling,光学顕微鏡/ Optical microscope,ナノ粒子/ Nanoparticles


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

関口 隆史

所属名 / Affiliation

筑波大学数理物質系

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

姚遠昭,松石晃弥

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術補助/Technical Assistance


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

BA-018:イオンミリング


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

イオンミリング装置を用いて走査電子顕微鏡観察試料を作製する。
① 多元合金の断面試料を作製する
② 表面汚染フリーのSEM観察標準試料を作製する

実験 / Experimental

① 規則構造を取る多元合金の構造を乱すことなく断面試料を作製し、各種熱処理が規則構造に与える影響を調べた
② 直径0.5㎜のステンレス球の表面汚染を取り除き、走査電子顕微鏡の各種検出器のアクセプタンス評価に供した

結果と考察 / Results and Discussion

① 多元合金の規則構造を反射電子像にて鮮明に観察することができた(Fig. 1)。各種熱処理によって規則構造がどのように変化するかを解析することができた。
② 清浄な表面を持つSUS球では、表面汚染による信号のばらつきが抑えられるため、特に二次電子の収集効率の測定では測定の信頼度が向上した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig. 1 5元合金(FeMnCrNiSi)のイオンミリング加工前後のSEM像


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)



成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
  1. 園田涼輔, 姚遠昭, 早田康成, 関口隆史, "SEMにおける斜出射二次電子・反射電子検出の特徴", 日本顕微鏡学会, 令和5年6月26日
  2. 小川創馬, 関口隆史, 熊谷和博, "3分割噴水型二次電子検出器によるSiC表面の段差構造評価", 日本顕微鏡学会, 令和5年6月26日
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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