【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.13】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23NM0093
利用課題名 / Title
ZnONの成膜技術
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
李 暁竜
所属名 / Affiliation
東京エレクトロン株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
高い電子移動度を有するアモルファスZnONを成膜し、その成膜反応を理解する目的である。論文報告により、ZnONはZnターゲットを用いて、酸素と窒素の環境において、反応性物理気相成膜技術で形成可能。今回の利用は、論文と同条件で成膜したZnONの膜質を確認した。
実験 / Experimental
装置：PVD装置。
実験方法：Znターゲットを用いて、O2とN2の流量比を調整し、複数種類のZnON膜を成膜。その後、社内のSEM観察及びXRD分析を用いて、膜質を確認。
結果と考察 / Results and Discussion
SEM観察結果として、複数の成膜条件を試したが、アモルファスの膜質が得られず、粒界的な結晶成長が見られた。そして、XRDの結果では、ZnONは結晶性のZnOに近く、反応性PVDにできていないようだ。
考察として、反応性PVDの成膜速度が速く、十分反応性を生かしていない可能性がある。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
Y. Ye, et. al., J. Appl. Phys. 106, 074512 (2009)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件