【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.04.22】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23NM0041
利用課題名 / Title
グラフェン電界効果トランジスタための酸化物ゲートの成膜
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-
【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions(副 / Sub)-
キーワード / Keywords
graphene,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,原子薄膜/ Atomic thin film
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)
李 松田
所属名 / Affiliation
量子科学技術研究開発機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本利用課題はARIMの真空蒸着装置を利用して、グラフェントランジスタ素子の一部である酸化物ゲートの成膜を実施する。
実験 / Experimental
電子銃型蒸着装置により、グラフェンの上にMgO(10nm)/SiO2(50nm)二層酸化物薄膜ゲートを成膜した。
結果と考察 / Results and Discussion
MgO(10nm)/SiO2(50nm)二層酸化物薄膜はグラフェン電界効果トランジスタのゲート電極として、働くことが確認されました。具体的に、面積が0.1mmx0.1mmのゲートにおいて、40Vの電圧を印加しでも、リーク電流が観測しなかった。以前の結果と比べると、SiO2薄膜の厚さを10nmから50nmに増やしたことで、pinholeによるリーク電流の抑制ができたことが分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件