【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.19】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23UT1199

利用課題名 / Title

MEMSデバイスの試作

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

センサ/ Sensor,光リソグラフィ/ Photolithgraphy

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

照元 幸次

所属名 / Affiliation

ローム株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

赤坂俊輔

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

水島彩子

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-504：光リソグラフィ装置MA-6

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

MEMSプロセスを活用した小型・低消費電力の水素ガスセンサの実現を目的として開発を進めている。薄膜だけを加熱するため、シリコン基板を除去したマイクロヒーターを形成する必要がある。今回、裏面露光装置を利用し、マイクロヒーターの形成を実施した。

実験 / Experimental

両面アライナMA-6を用いて、シリコン基板裏面のリソを実施した。その後、DRIEでシリコン基板を除去してマイクロヒーターを形成した。

結果と考察 / Results and Discussion

シリコン基板表面にヒーター配線とSiO₂、SiNを主成分としたメンブレンを形成し、裏面に厚膜レジストをスピンコートした後、裏面のレジストを露光・現像しパターニングを行った。その後、DRIE装置を用いてシリコン基板を除去し、マイクロヒーター構造の形成に成功した。図１は、マイクロヒーターの光学顕微鏡写真である。今回作製したマイクロヒーターを用いて、今後高精度の水素センサの実証実験を実施する予定である。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1. マイクロヒーターの光学顕微鏡写真

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

本実験の実施にあたり、水島彩子様には大変お世話になりました。感謝申し上げます。

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：1件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件