【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.30】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT1178
利用課題名 / Title
ITO電極の作製
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,スパッタリング/ Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
内田 建
所属名 / Affiliation
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
小室勇仁
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ReRAM素子の電極として使用する為，Si基板上にITOをスパッタリングにより成膜した．
実験 / Experimental
2cm角の酸化膜付きSi基板について，ITOをターゲットとし，CFS-4ES(ID: UT-704)によりスパッタリングを行った．スパッタリング時の条件は，膜厚100nmの場合のマニュアル記載の値を参考に設定した．
結果と考察 / Results and Discussion
スパッタリング後の基板を観察した際に，表面の色の変化が見られなかった．このことから，ITOのスパッタリングが行えていなかったと考えられる．詳細な原因は不明であるが，この機器ではITOターゲットがあまり使用されておらず，本実験開始時に別のターゲットを取り外してつけ直したこと，及び真空引きに長い時間がかかったことから，真空引きが不十分だった可能性が考えられる．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件