【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT1153
利用課題名 / Title
半導体プロセスを用いた微細光学素子のプトロタイプ開発
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
メタサーフェイス,電子顕微鏡/ Electronic microscope,メタマテリアル/ Metamaterial,電子線リソグラフィ/ EB lithography,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
冨士 航
所属名 / Affiliation
株式会社タムロン
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
李潔・㈱タムロン、嶋谷智生・東京農工大学工学部
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
岩見健太郎・東京農工大学工学部
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-503：超高速大面積電子線描画装置
UT-604：高速シリコン深掘りエッチング装置
UT-855：高精細電子顕微鏡
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
サブ波長構造体によるメタサーフェス構造を形成。従来の材料では実現できない機能の発現を目指し、EB露光、深掘りエッチング、電子顕微鏡で条件出しを実施した。
実験 / Experimental
2 cm角のa-Si基板上にレジストZEP520-7をスピンコートし、高速大面積電子線描画装置F7000S-VD02を用いて露光後、現像を実施した。その後、Cr成膜とリフトオフ後、高速シリコン深掘りエッチング装置(MUC-21 ASE-Pegasus)を用いて深掘りエッチング条件出しを実施した。構造体の寸法は電子顕微鏡（SEM、HITACHI Regulus 8230）で確認した。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1にエッチング後のSEM写真を示す。Fig.1の通り、設計値に近い柱幅で比較的垂直な柱の製作に成功した。また、細い構造体の方は、少しサイドエッチングが進んだため、エッチング条件を微調整することが必要。今後は、エッチング条件の最適化と再現性を確認していく。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 SEM image of a-Si after etching
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
東京農工大学の岩見健太郎様、嶋谷智生様には心より感謝申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件