【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.21】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23UT1151

利用課題名 / Title

ナノスケール微細スピン依存伝導チャネル素子の開拓

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

微細加工,スピントロニクス,電子顕微鏡/ Electronic microscope,電子線リソグラフィ/ EB lithography,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,スピントロニクス/ Spintronics

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

大矢 忍

所属名 / Affiliation

東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-503：超高速大面積電子線描画装置
UT-855：高精細電子顕微鏡

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

強磁性材料から注入されるスピン偏極電流のデバイス応用を図る

実験 / Experimental

数十ナノメートルオーダーの微細な構造におけるスピン偏極電流のふるまいを調べるため、電子線描画装置を用いたデバイス作製と、その評価を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

本研究では、酸化物基板上に作製された強磁性酸化物薄膜、Ge基板上に作製された金属薄膜を含む複数の材料を対象とし、電子線描画技術を用いて微細な構造を作製した。電子線量の適切な制御により、最小30 nm以下の微細構造の作製に成功した。
また、電子線描画装置による露光プロセスの直後に走査型電子顕微鏡を用いた観察を行うことができたため、プロセスの評価を効果的に行うことが可能となった(図1)。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1 電子線描画装置 (F7000S) によって描画されたパターンの、SEM 画像

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件