【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.23】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT1146
利用課題名 / Title
強磁性半導体による新しいスピン機能材料とデバイスの創出
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
スピントロニクス素子・物質、強磁性半導体,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
田中 雅明
所属名 / Affiliation
東京大学大学院工学系研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
白谷 治憲,奥山 裕太,石原 奎太,佐藤 彰一,佐伯 崇寛,ピライ アキル,原 拓嵩,堀田 智貴
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
強磁性半導体を用いた新規デバイスの創出を目的とし、伝導測定用のデバイスを作製した。
実験 / Experimental
レジストOFPR 800LB (150cp)を用いたときの、MA6の適切な露光時間を調べた。
結果と考察 / Results and Discussion
前準備としてOFPR 800LB (150cp)を塗布したサンプルを用意し、スピンコーターを用いて5000rpm（30s）で回転させた。その後、110℃（90s）でプリベークした。
次にMA6の露光時間を7～15sの範囲で変化させて露光した。その後、NMD-W（3min）で現像した(図1)。結果として、すべての条件で20μm程度の幅であれば問題なくデバイスが作製できることが分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 MA-6を用いて作製した50×200 umのホールバー。
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件