【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.03】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23NM5171
利用課題名 / Title
半導体ナノ構造の形成制御と機能化
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration),ナノシート/ Nanosheet
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
Fukata Naoki
所属名 / Affiliation
物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
松村 亮,ZHANG Qinqiang,Rahmat Hadi Saputro
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
大井 暁彦,池田 直樹,藤井 美智子,浦野 絵里
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NM-649：FE-SEM+EDX [SU8230]
NM-636：マスクレス露光装置 [DL-1000]
NM-645：ICP-RIE装置 [CE300I]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
IV族材料であるGeSnの光学特性発現のため、GeSnの結晶成長と光学パターニング形成技術開発を行った。
実験 / Experimental
分子線エピタキシー法を用いて形成したGeSn/Ge基板に対し、RIEとフッ化水素酸エッチングを行い、そのエッチング特性を評価した。
結果と考察 / Results and Discussion
CF4とSF6を用いてGeSnのRIEエッチングを行い断面SEM観察を行った所、いずれも凹凸が見られた[Fig .1(a)]。これはSnとGeの不均一エッチングに起因すると考えられる。一方、RIE後にフッ化水素酸エッチングを組み合わせることで表面の平滑化を実現した[Fig .1(b)]。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 (a) CF4とSF6を用いたGeSnのRIEエッチング後の断面SEM像. (b) RIEエッチング後にフッ化水素酸エッチングを行った場合の断面SEM像.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
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Rahmat Hadi Saputro, Highly strained and heavily doped germanium thin films by non-equilibrium high-speed CW laser annealing for optoelectronic applications, Materials Science in Semiconductor Processing, 162, 107516(2023).
DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107516
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- MATSUMURA, Ryo, SAPUTRO, Rahmat Hadi, FUKATA, Naoki. High-Speed Continuous Wave Laser Annealing: Non-equilibrium growth of Highly-Strained Germanium-Based Materials. MRM2023/IUMRS-ICA2023. December 2023.
- SAPUTRO, Rahmat Hadi, MATSUMURA, Ryo, 前田辰郎, FUKATA, Naoki. Crystallization of n-type Si0.1Ge0.9 thin films by high-speed CW laser annealing. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023年9月
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件