【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.07】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23NM5092

利用課題名 / Title

強誘電体デバイスの研究

利用した実施機関 / Support Institute

物質・材料研究機構 / NIMS

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

強誘電体材料・デバイス/ Ferroelectric materials

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

生田目 俊秀

所属名 / Affiliation

物質・材料研究機構

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

女屋崇

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NM-644：原子層堆積装置 [SUNALE R-150]
NM-644：原子層堆積装置 [SUNALE R-150]
NM-646：赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

酸化剤としてH2O及びO2 plasmaを用いた原子層堆積装置を用いて、HfO2系強誘電体膜の成膜を検討した。

実験 / Experimental

原子層堆積装置で、酸化剤としてH2O及びO2 plasmaを用いた2条件で、成長温度及びALDサイクルを変えてHfO2系強誘電体膜を成膜した。

結果と考察 / Results and Discussion

原子層堆積装置で、成長温度を300℃として、H2Oガスの場合、供給時間を変えて得られたHfO2系強誘電体膜の膜厚より、ALD飽和領域を把握できた。ALDサイクルと膜は直線関係を満足して、得られた成長速度 (Growth per cycle: GPC) は妥当な値であることが分かった。O2 plasmaガスの場合も同様のALD実験を行い、予定したデータを取得できた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件