【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.07】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23NM5088

利用課題名 / Title

金属/絶縁膜界面の研究

利用した実施機関 / Support Institute

物質・材料研究機構 / NIMS

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

薄膜/ Thin films

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

生田目 俊秀

所属名 / Affiliation

物質・材料研究機構

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NM-644：原子層堆積装置 [SUNALE R-150]
NM-640：スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #1]
NM-641：スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]
NM-643：電子銃型蒸着装置 [UEP-3000BS]

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

Si及びGaNエピ基板上へ原子層堆積法で作製した絶縁膜の電気的な特性を調べるためにMetal-Oxide-Semiconductor (MOS) キャパシタを作製した。

実験 / Experimental

Si及びGaNエピ基板からなるMetal-Oxide-Semiconductor (MOS) キャパシタを次の手 順で作製した。先ず、Si及びGaNエピ基板はSPM/HF溶液で表面洗浄した。続いて、原子層堆積法で、絶縁膜を作製した後に、電子銃型蒸着装置及びスパッタ法を用いて、ゲート電極を作製して、MOSキャパシタを作 製した。

結果と考察 / Results and Discussion

Si基板からなるMOSキャパシタは、表面洗浄することで、原子層堆積法で絶縁膜を作製した後も、安定してMOSキャパシタを作製できた。GaNエピ基板は小さなサイズのために、洗浄から原子層堆積法での絶縁膜の成膜、最後にゲート電極及び裏面コンタクト膜の作製まで、基板のエッジのみ治具が触れる工夫をする事で、MOSキャパシタを安定して作製できた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件