利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.03.26】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23IT0051

利用課題名 / Title

金属ナノ周期構造を搭載したボウタイ型プラズモアンテナの作製

利用した実施機関 / Support Institute

東京工業大学 / Tokyo Tech.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

電子線リソグラフィ/ EB lithography,量子効果/ Quantum effect


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

ナガヤマ カンタ

所属名 / Affiliation

徳島大学創成科学研究科

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)技術補助/Technical Assistance(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

IT-038:電子ビーム露光装置
IT-002:電子ビーム露光データ加工ソフトウェア
IT-006:走査型電子顕微鏡


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

周期的な電極構造を電子ビーム露光で作り出せるか試みた。実験はARIM学生研修プログラムによる東工大「電子ビームリソグラフィ」研修に参加し、東工大未来産業技術研究所の設備を用いて実施した。

実験 / Experimental

電極構造は0.2μm×2μmラインが0.4μmピッチで並ぶ櫛形のものが対になった構造で、CADで作図した後Beamer(露光データ加工ソフト)で露光パターンに変換。ライン幅は0.18μm~0.22μmの5段階に寸法を変えてある。図1に露光パターン図を示す。  15mm×15mmに切断したSi基板にレジストZEP 520Aを500nm塗布したものを準備し、100kV、200pAの露光条件で、Dose量を300~500μC/cm2の5段階に変化させ電子ビーム露光を行った。図2に露光配置図を示す。 現像条件はZED-N50/30秒、(リンス)IPA/20秒。

結果と考察 / Results and Discussion

現像後にPt-PdをコートしてSEM観察を行った。露光したパターンのSEM写真を図3に示す。  ライン幅が0.2μmと大きいためDoseによる寸法差は少ない。線幅及びピッチをSEMにて測長し、設計通りの構造になっていることを確認。図4に電極部拡大像(Dose 400μC/cm2で露光)を示す。ライン幅は目的の値である2μmで設計し、Doseは400μC/cm2 で露光するのが最適だと分かった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


図1



図2



図3



図4


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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