【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.24】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23HK0132

利用課題名 / Title

Picosun社製ALD装置Ta₂O₅成膜

利用した実施機関 / Support Institute

北海道大学 / Hokkaido Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,ALD

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

行藤 敏克

所属名 / Affiliation

株式会社シリコンセンシングプロダクツ

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

佐々木仁先生

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

HK-616：原子層堆積装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

MEMSセンサー開発で、Ta₂O₅膜が必要となった。構造上緻密性が必要となり、Picosun社製ALD装置にプリカーサーTBTEMTを使用して、Ta₂O₅成膜条件出しを行った。

実験 / Experimental

プリカーサ―TEMP、H₂O pulse:  / purge Timeの設定を数条件組み合わせて、レート、6インチエリアの面内均一性、応力を確認を行い最適条件の確認を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

IMS flow: 300 / Line flow: 200, TBTEMTa Temp: 120/165(Max) / Valve block temp: 130/140(Max) , TBTEMTa flow: 200 /carrier gas 40 sccm, H₂O carrier gas 60 sccm TBTEMTa pulse: 2.5 s / purge 5.0s H₂O pulse: 0.5 s / purge 20 s上記の条件で成膜を行った結果、0.604Å/cycle、面内均一性：4.5%、応力：+56MPaと当初の狙い通りの良好な結果となった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件