【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23HK0105
利用課題名 / Title
ALDを用いた高誘電膜および導電膜の成膜
利用した実施機関 / Support Institute
北海道大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion
キーワード / Keywords
MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,パワーエレクトロニクス/ Power electronics,ALD
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
松尾 健志
所属名 / Affiliation
日産自動車株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
松尾保孝,遠堂敬史,佐々木仁,中村圭佑
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
原子層堆積法を用いて、導電膜の成膜を検討している。成膜材料の豊富さや低温で成膜できる利点がある一方で、導電膜の成膜の実績は比較的少ない。そのため、導電膜をデバイスに適用するためにALD成膜した膜の特性を十分に把握する必要がある。
実験 / Experimental
北海道大学所有のプラズマALD装置でTiN成膜可能であるため、成膜を行い、膜の評価を進める。
結果と考察 / Results and Discussion
北海道大学が所有されているSAMCO社製のプラズマ原子層堆積装置(HK-618)を用いて、実験を行った。サンプル構造としては、Si基板上にAl2O3上にTiNの成膜を行った。成膜後に膜厚測定を行った結果、所定の膜厚になっていることを確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件