【公開日：2023.08.03】【最終更新日：2023.08.03】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22NR0005
利用課題名 / Title
半導体と金属の界面の静電容量-電圧特性の研究
利用した実施機関 / Support Institute
奈良先端科学技術大学院大学 / NAIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
走査プローブ顕微鏡/Scanning probe microscopy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
タツムラ マコト
所属名 / Affiliation
京セラ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
河合 壯,小池 徳貴
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）,機器利用/Equipment Utilization
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
粒径100μm程度の半導体微結晶のIV特性を評価するため、p型シリコン単結晶基板を破砕してサンプルを作製し、プローバーSEMを用いてIV測定を行った結果、破砕前のp型シリコン単結晶基板のIV測定の結果と一致した。よって、今回実施したサンプルの作製方法及びプローバーSEMを用いることで100μm程度の半導体微結晶のIV特性が評価可能であることが確認された。
実験 / Experimental
p型シリコン単結晶基板を破砕して100μm程度の微粒子とし、鏡面研磨した微粒子表面にショットキー電極としてスパッタでTiを厚み1μm程度成膜した。次に、CP加工を用いて微粒子の断面を出した後、Ti電極と接触して短絡しないようオーミック電極としてFIB-CVDを用いて2μm□程度のPtを成膜した。以上の手順で作製した微粒子サンプルの各電極にプローバーSEMのプローブをコンタクトしてIV測定を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
微粒子サンプルの測定結果が破砕前のp型シリコン単結晶基板のIV特性と一致した。本結果から、今回実施したサンプルの作製方法及びプローバーSEMを用いて100μm程度の半導体微結晶のIV特性がを評価可能であることが確認された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件