【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.24】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23HK0013

利用課題名 / Title

スパッタ成膜試験

利用した実施機関 / Support Institute

北海道大学 / Hokkaido Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,PVD

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

西田 章浩

所属名 / Affiliation

株式会社ADEKA　電子材料開発研究所　半導体材料研究室

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

中村 圭佑,松尾 保孝,遠堂 敬史,佐々木　仁

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術相談/Technical Consultation（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

HK-611：多元スパッタ装置
HK-302：電界放出形走査電子顕微鏡
HK-406：X線光電子分光装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

原子層堆積法（ALD）に用いるRu基板の作成を目的として、スパッタ装置を用いRu膜のDCスパッタ成膜を行った。基板には4インチのSi基板を用いた。得られたRu膜は、4インチウエハに均一に成膜されており、その平均膜厚は45nm、成膜レートは4.2nm/minであった。

実験 / Experimental

使用機器：多元スパッタ装置QAM4CA power：100 WRuターゲット, 4N, 2インチ成膜時間：642秒ウエハ回転速度：10 rpmArガス：17.5 sccm圧力：0.36 Pa

結果と考察 / Results and Discussion

成膜されたRu膜の分析をFE-SEMで行った。膜は平坦性の良好な連続膜であることが確認され、その平均膜厚は45nmであった（図1）。膜厚と成膜時間から換算された成膜レートは4.2nm/minであった。また、膜の面内均一性も良好であった。膜組成はXPSで評価を行った。成膜された膜はRu >99%であり、純度の高いRu膜であることが確認された。以上の結果より、得られたRu膜は、ALD法に用いるためのRu基板として良好な特性を示していることが確認された。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1 Ru膜のFE-SEM測定結果

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件