【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.02.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0296
利用課題名 / Title
diamond用ゲート絶縁膜
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
表面・界面/ Surface and Interface,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor,赤外・可視・紫外分光/ Infrared/visible/ultraviolet spectroscopy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
Yoshioka Hironori
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
鬼澤 敦子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
パワーデバイス応用に向けてたダイヤモンドMOSFETの高チャネル移動度化を目的とする。ゲート絶縁膜形成前処理として水素処理などを検討する。表面前処理を行ったダイヤモンドの表面の結合状態の変化をFTIR装置(AT-066)などで評価する。
実験 / Experimental
表面前処理として、酸洗浄および水素処理を行ったダイヤモンド表面を準備した。2840cm-1に現れるC-H結合の信号の有無をFTIR装置で評価した。表面結合からの信号を得るために、多重反射ATR治具、Ge-ATR,Si-Check IR IIを用いた。
結果と考察 / Results and Discussion
用いたダイヤモンド基板は2mm四角であり、Ge-ATR,Si-Check IR IIのプレスヘッドは2mm四角より大きいため、押さえつけの際、プレスヘッドがGe結晶に接触し、プレスヘッドの信号が強くでてしまい、所望の2mm□のダイヤ表面の評価ができないことが判明した。そのため、酸洗浄および水素処理の違いを検出できなかった。図にFTIRの測定結果を示す。1150cm-1と1210cm-1に強いピークが出ているが、これはプレスヘッドの信号である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 FTIR測定結果(多重反射Ge-ATR治具使用、2mm四角ダイヤモンドを測定)
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件