【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.02.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0285
利用課題名 / Title
生体分子検出用ナノカーボン電極の開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials
キーワード / Keywords
スパッタリング/ Sputtering,ナノカーボン/ Nano carbon,コンポジット材料/ Composite material
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
加藤 大
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
佐藤 平道
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
我々はこれまでにダイヤモンド結合とグラファイト結合を含むスパッタナノカーボン薄膜の開発とこれを生体分子の計測用電極として利用する研究を行ってきた。ナノカーボン薄膜へ異元素の成膜を安定に行うことができると、さまざまな物質への計測利用が期待できる。今回はナノカーボン薄膜（40 nm）上に、Ni（100 nm）をスパッタしたナノカーボン/Ni積層膜の作製を検討した。
実験 / Experimental
Si基板上に製膜したナノカーボン薄膜を基板として、Ni層をスパッタによって形成した。成膜条件は、ターゲットパワー200 W、0.4 Paとした。成膜時間はNPFのスパッタレート表（14.6 nm/min at 200W）を参考にして、膜厚が100nmとなるように、6分51秒に設定した。
結果と考察 / Results and Discussion
ナノカーボン層上に、Ni層を製膜したところ、安定なNi膜が形成されていることを確認した。カーボン表面への金属層の堆積はカーボン表面の酸化状態によっては、密着性が悪く金属層が剥離してしまうことが知られているが、今回の積層においてはNi層が剥離を起こすことはなく、安定な積層が可能であった。この要因として、本系で利用したナノカーボン薄膜は表面の酸素官能基が極めて低い特徴がある。このため、Ni層が安定にカーボン層へ密着し、積層が可能であったと考えられる。このような、カーボン層への異元素の積層はマルチな機能を有する電極素材を作製する上で非常に重要である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件