【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.02.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0275
利用課題名 / Title
ベータ型酸化ガリウムパワーデバイス開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
化合物半導体/ Compound semiconductor, パワーエレクトロニクス/ Power electronics,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor,パワーエレクトロニクス/ Power electronics,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
Takatsuka Akio
所属名 / Affiliation
株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
増田 賢一
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
β型酸化ガリウム(β-Ga2O3)は4.5～4.9 eVのバンドギャップをもち、これにより8 MV/cmの絶縁破壊電界と3400を超えるバリガ性能指数が推定されているため、次世代のパワーデバイス材料として大変有望である。今回、β型酸化ガリウムパワーデバイス試作のため、β型酸化ガリウム基板上へフォトリソグラフィによりレジストパターニング実験を行ったので報告する。
実験 / Experimental
レジストパターニングに使用するウエハとしては、自社で開発、製造されたβ型酸化ガリウムウエハを使用した。ウエハ上にフォトレジストをスピンコートしプリベークを行った後、i線ステッパー装置(AT-011 産業技術総合研究所ナノプロセシング施設)を使用して露光し、最後に現像処理を行ってレジストパターンを形成した。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig. 1はi線ステッパー装置を用いて形成したβ型酸化ガリウムウエハ上のレジストパターンの表面顕微鏡像である。露光時間等の条件を最適なものとすることで、Fig.1のように良好なレジストレジストパターンを形成できることを確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Optical image of the photoresist patterned β-gallium oxide substrate.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件