【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.14】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0274
利用課題名 / Title
エマージングデバイスに関する研究開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
リソグラフィ，ナノワイヤ,スパッタリング/ Sputtering,電子線リソグラフィ/ EB lithography,ナノワイヤー・ナノファイバー/ Nanowire/nanofiber
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
筒井 優貴
所属名 / Affiliation
千葉工業大学大学院
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
佐藤 平道,木塚 優子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-093：高速電子ビーム描画装置（エリオニクス）
AT-025：スパッタ成膜装置(芝浦）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本研究では，電子ビーム描画装置を用いた微細電極サンプル作製の検討を行った．
実験 / Experimental
【実験方法】 SiO2熱酸化膜を持つSiウェハ上に，スパッタ成膜装置（AT-025）でTi/ Pt/ Ti/ SiO2の順に成膜した．次に，レジスト（AR-P 6200. 04）を塗布し，高速電子ビーム描画装置（AT-093）で電極パターンを描画した．現像はZED-N50を使用し，IPAでリンスを行った．次に，グループが所有するECRミリング装置とArミリング装置でエッチングを行い，電極を形成した．
産総研ナノプロセシング施設では，(AT-025)スパッタ成膜装置（芝浦），【NPF014】有機ドラフトチャンバー_1，（AT-093) 高速電子ビーム描画装置（エリオニクス），【NPF112】有機ドラフトチャンバー_2，【NPF113】スピンコーター（EB） を用いた．
結果と考察 / Results and Discussion
電極のパターンを線幅1 μm，0.5 μmで作製したが，光学顕微鏡，走査型電子顕微鏡を用いても確認することができなかった．一方で，線幅1.4 μmで設計したウェハを切断するためのガイドは，光学顕微鏡，走査電子顕微鏡，走査プローブ顕微鏡を用いて確認することができた．今後，描画するパターンを改善し微細電極構造の作製を進めていく予定である．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件