【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.14】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23AT0268

利用課題名 / Title

センサ開発

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

シリコン基材料・デバイス/ Silicon-based materials and devices,センサ/ Sensor,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,スパッタリング/ Sputtering

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

行藤 敏克

所属名 / Affiliation

株式会社シリコンセンシングプロダクツ

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

山崎 将嗣

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-025：スパッタ成膜装置(芝浦）

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

NPFの芝浦製スパッタ装置を用いて、8インチSi基板上に高誘電体膜であるTa₂O₅膜を成膜し、面内分布や成膜レートの確認を行った。

実験 / Experimental

スパッタの成膜条件としては、RFパワー200W、成膜圧力0.4Pa、Arガス流量　9.5sccm、酸素ガス流量　0.5sccmを用いた。均一性を得るために基板は回転させた。一方基板加熱等は行わなかった。

結果と考察 / Results and Discussion

膜厚計を用いてスパッタによる成膜レートを測定したところ、2.93Å/secであった。また均一性を調べるため、中央部1点、外周から15mmの所４点の合計5点を確認した所、面内均一性は7.89%であった。レートは問題にならないが面内分布が悪い結果となり改善が必要であることが分かった。今後は、各条件を最適化して面内分布の向上を行う。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件