【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0243
利用課題名 / Title
Si表面上での高アスペクト比構造構築のための高精細金属パターンの作製
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
有馬 健太
所属名 / Affiliation
大阪大学
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
増田賢一
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
エッチングは、電子デバイスの製造にとって最も重要なプロセスの1つである。一般に、エッチングはウェットおよびドライエッチングの2つの方法に分類される。しかし、ここ10年で、金属支援化学エッチング（MACE）という新しいエッチングモードが注目されている。この方法では、貴金属をエッチング触媒として使用して、貴金属直下の半導体表面(一般的にはSi)を選択的にエッチングすることができる。 MACEでは、化学反応により、従来のウェットまたはドライエッチングでは実現できない、高いアスペクト比のナノスケールSi構造を形成できるという特徴がある。 我々は、金属アシストエッチングにより、微細で高アスペクト比な溝構造を大面積で作製することを目的としている。本課題では、TiとAuを微細な寸法のストライプ状に、かつ大面積でSi上に形成するため、他所でSi基板上に行った金属蒸着の後に、産総研にてリソグラフィープロセスを実施した。
実験 / Experimental
i線を用いたステッパー露光を実施した後、ベーキング（PEB）を行い、続いて他所に発送して頂き、我々の側で現像・剥離プロセスを実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
現像後のサンプルについて、走査電子顕微鏡により観察したところ、約500 nmの均一な幅を持つAu/Ti配線が形成されていることを確認した。これにより、当初目的としていた試料構造が作製出来ていることが分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 東知樹、村瀬詩花、稲垣耕司、有馬健太、”Si表面の溝底部への金属元素の埋め込みと光電子検出特性の評価” 精密工学会2023年度関西地方定期学術講演会（京都）、令和5年6月23日
- 東知樹、村瀬詩花、稲垣耕司、有馬健太、”Si 表面の溝底部への金属原子の埋め込みと光電子検出特性の評価”2023年度精密工学会秋季大会学術講演会（福岡）、令和5年9月15日
- Tomoki Higashi, Shiika Murase, Kouji Inagaki, Kenta Arima、”Novel non-destructive method to evaluate cleaning performances of three-dimensional nanostructures on Si ∼Au embedding at the bottoms of deep trenches on Si by metal-assisted chemical etching∼”2023年日本表面真空学会学術講演会（名古屋）、令和5年10月31日
- Shiika Murase, Tomoki Higashi, Kouji Inagaki, Kenta Arima、”Novel non-destructive method to evaluate cleaning performances of three-dimensional nanostructures on Si ~ Angle-resolved photoemission spectra of Au resided at the bottoms of deep trenches on Si~”2023年日本表面真空学会学術講演会（名古屋）、令和5年10月31日
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件